2017和2018年，全球存儲芯片市場出現了史無前例的缺貨潮，使得相關產品的生產無法跟上市場需求，這給存儲芯片三巨頭三星、美光、SK海力士提供了絕佳的商機，也就是在那兩年，三星超越英特爾，躋身全球半導
正文摘要:
2017和2018年，全球存儲芯片市場出現了史無前例的缺貨潮，使得相關產品的生產無法跟上市場需求，這給存儲芯片三巨頭三星、美光、SK海力士提供了絕佳的商機，也就是在那兩年，三星超越英特爾，躋身全球半導體廠商營收榜單之首。之后的2019年，供需趨于平衡，然而，2020年席卷全球的疫情再次打破了全球芯片市場的寧靜，不僅存儲器，幾乎所有類型的芯片都出現了全球性缺貨的局面，一直持續到2022年初。近幾個月，消費類芯片供過于求的市況愈加凸顯，而作為半導體業“大宗商品”的存儲芯片，價格也出現了下滑，且波動明顯。整個存儲業的復合年均增長率預計為8%。
媒體：國產存儲芯片供需格局重塑究竟是怎么一回事，跟隨小編一起看看吧。
2017和2018年，全球存儲芯片市場出現了史無前例的缺貨潮，使得相關產品的生產無法跟上市場需求，這給存儲芯片三巨頭三星、美光、SK海力士提供了絕佳的商機，也就是在那兩年，三星超越英特爾，躋身全球半導體廠商營收榜單之首。之后的2019年，供需趨于平衡，然而，2020年席卷全球的疫情再次打破了全球芯片市場的寧靜，不僅存儲器，幾乎所有類型的芯片都出現了全球性缺貨的局面，一直持續到2022年初。
近幾個月，消費類芯片供過于求的市況愈加凸顯，而作為半導體業“大宗商品”的存儲芯片，價格也出現了下滑，且波動明顯。然而，在各種應用設備和系統中幾乎無所不在的存儲芯片（以DRAM和NAND Flash為主），不會像多數純消費類芯片那樣，對單一或少數類別應用有特別高的依賴性，在消費類、高性能計算、汽車、工業等領域，存儲芯片都是不可或缺的，因此其發展前景依然樂觀，這也是近些年存儲芯片三巨頭始終穩居全球半導體廠商營收榜單前五的原因。
據Yole Développement預測，從2021到2027年， DRAM將以9%的年均增長率增長，2027年，市場規模將達到1585億美元，NAND Flash將以6%的復合增長率增長，市場規模將達到960億美元。整個存儲業的復合年均增長率預計為8%。
在中美貿易戰期間，存儲芯片市場在2020年同比增長15%，2021年同比增長32%，預計2022年將繼續保持強勁增長，DRAM同比增長25%，達到1180億美元，NAND Flash同比增長24%，達到830億美元，均創歷史新高。除了DRAM和NAND Flash，存儲芯片還包括NOR Flash、非易失性SRAM/FRAM、EEPROM和新型非易失性存儲器，但這些市場規模都很小。
由此可見，存儲芯片的市場規模和發展態勢還是相當穩健的。之所以如此，是因為在過去60多年的時間里，處理器和存儲器一直都是半導體業基礎性的大宗商品，市場需求量巨大。而隨著技術和應用的發展，處理器在這半個多世紀里發生了巨大變化，各種新架構、產品層出不窮，從最初的CPU，發展出后來的MCU、DSP、GPU、FPGA，以及當下的AI專用處理器等，而相對于處理器來說，存儲器在這幾十年當中的變化相對很小，主要是存儲密度和容量上的演進，而存儲器的基本架構變化不大，特別是DRAM，一直沿用至今，依然經久不衰。
當然，隨著應用的發展，以及對數據容量增長需求的渴望，在上世紀90年代出現的、比DRAM要“年輕”很多的NAND Flash閃存技術，發展和變化的速度就快多了，從最初的2D，演化到了現今的3D，存儲密度增加了不少。而隨著AI等應用的發展，各種新型的存儲技術（MRAM和ReRAM等）正在實驗室里摩拳擦掌，準備替代當下的閃存。
閃存的堆疊，長江存儲的執著
為了提高NAND Flash閃存的存儲密度，全球存儲芯片三巨頭都在不遺余力地發展3D堆疊技術，特別是美光，該公司于2020年11月成為全球首家量產176層3D NAND Flash的廠商。與上一代128層3D NAND Flash技術相比，將讀取延遲和寫入延遲改善了35%以上。
不久后的2020年12月，SK海力士宣布開發出176層512Gb TLC 4D NAND Flash，后來還推出了176層的1Tb容量4D NAND Flash。SK海力士4D NAND結合了3D CTF(電荷捕獲閃存)設計、PUC(Peri. Under Cell)技術，2019年送樣第一代96層4D NAND，同年次月又推出了第二代128層4D NAND，當時研發出的176層NAND Flash是第三代4D NAND產品。
三星則在2021年量產了第七代V-NAND，使用“雙堆棧”技術，該公司在128層工藝節點，采用的是“單堆棧”技術生產3D NAND Flash。三星也強調，采用“雙堆?！奔夹g，不僅更具技術競爭力，3D NAND Flash堆疊層數也有望達到256，但并不一定意味著三星第七代NAND將具有這種配置。
除了三巨頭，鎧俠和西部數據，以及英特爾都在開發高堆疊層數的閃存。不過，英特爾已于去年放棄了NAND Flash業務。
目前，沖在高堆疊層數最前沿的依然是美光，就在今年5月，該公司宣布推出業界首款232層3D NAND Flash。該公司計劃在2022年底開始增加此類芯片的產量。據悉，該公司的232 層3D NAND Flash采用3D TLC架構，原始容量為1Tb。該芯片基于美光的CuA架構，CuA設計加上232層NAND Flash可大大減小1Tb 3D TLC NAND Flash的芯片尺寸，有望降低生產成本。
國際大廠紛紛爭奪高堆疊層數的3D NAND Flash市場，作為中國本土NAND Flash的旗幟，長江存儲這些年一直在加緊追趕國際大廠的步伐。
2018年，長江存儲的32層3D NAND Flash實現量產，當時，有業界人士透露，長江存儲Xtacking架構的64層NAND樣品已經送至合作伙伴進行測試，讀寫質量大致穩定，預計最快將在2019年第3季投產，長江存儲計劃在2020年跳過96層3D NAND，直接進入128層堆疊。
而實際情況與上述預測基本吻合，2019年9月，長江存儲宣布量產基于Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND Flash，這是中國本土首款64層3D NAND Flash。2020上半年，該公司發布了128層QLC 3D NAND Flash（型號X2-6070），以及128層512Gb TLC 3D NAND Flash（型號X2-9060），以滿足不同應用場景的需求。
2021年初，有媒體報道稱，長江存儲將于2021下半年試產第一批192層3D NAND Flash芯片，成為首個試產該堆疊層數產品的中國本土廠商。
近期，又有消息傳出，長江存儲計劃跳過192層，直接切入232層3D NAND Flash。到目前為止，這一消息還沒有得到官方證實。
不過，從過去幾年長江存儲的“跳躍式”發展軌跡來看，直接上232層堆疊的3D NAND Flash，可能性很大，畢竟經過這些年的潛心研發，該公司的Xtacking堆疊技術越來越成熟，在國產替代的大背景下，加快國產存儲芯片的前進腳步，是受到國內各方期許的。2021年，長江存儲已取得大約4％的市場份額，業界預期它今年有望將市占率提升至7％，超過英特爾，成為全球第六大NAND Flash芯片企業。
內存，中國縮小差距
在DRAM（內存）方面，國際三巨頭依然強勢，特別是在先進制程工藝方面，三家的競爭愈加激烈。
近些年，DRAM與CPU一樣，面臨制程節點微縮的挑戰，使用EUV光刻技術，可減少多重曝光過程，提供更細微的制程精度與良率。為此，DRAM三巨頭都在爭奪ASML的EUV光刻機，用于10nm級DRAM的生產。